五礦證券發(fā)布研報(bào)稱，碳化硅(SiC)成為驅(qū)動(dòng)技術(shù)升級(jí)與效率革命的關(guān)鍵支撐。作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體核心材料，憑借禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率優(yōu)、電子飽和漂移速度快等突出性能，正全面滲透新能源、AI、通信、AR四大高增長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)，其應(yīng)用場(chǎng)景從功率器件延伸至散熱材料、光學(xué)基底等領(lǐng)域，需求呈爆發(fā)式增長(zhǎng)，行業(yè)即將進(jìn)入高速發(fā)展期。

　　五礦證券主要觀點(diǎn)如下：

　　新能源領(lǐng)域

　　 SiC是實(shí)現(xiàn)高效節(jié)能的核心器件，該行預(yù)計(jì)2030年，全球“新能源車+充電樁+光儲(chǔ)”對(duì)碳化硅襯底(6寸當(dāng)量，若非特殊說明，下同)的需求量約577萬片，CAGR~36.7%。新能源汽車領(lǐng)域，800V高壓平臺(tái)逐步普及，2025年滲透率已達(dá)11.17%，SiCMOSFET應(yīng)用于主驅(qū)逆變器、DCDC轉(zhuǎn)換器等核心部件，可使整車能耗降低8%-10%。該行測(cè)算得，2030年全球新能源車領(lǐng)域SiC襯底需求達(dá)432萬片，中國328萬片。高壓直流充電樁方面，政策推動(dòng)下2027年將建成10萬臺(tái)大功率充電樁，SiC憑借耐高壓特性成為達(dá)標(biāo)關(guān)鍵，2030年全球SiC襯底需求51萬片，中國29萬片。光儲(chǔ)領(lǐng)域，SiC將提升光伏逆變器與儲(chǔ)能變流器效率，2030年全球碳化硅襯底需求94萬片，中國30萬片。

　　 AI產(chǎn)業(yè)中

　　 SiC迎來“功率+散熱”雙重增長(zhǎng)機(jī)遇。數(shù)據(jù)中心方面，算力提升推動(dòng)機(jī)柜功率密度飆升，SiC應(yīng)用于UPS、HVDC、SST等電源設(shè)備，2030年全球電源領(lǐng)域襯底需求73萬片，中國20萬片。同時(shí)，SiC作為先進(jìn)封裝散熱材料，解決GPU高發(fā)熱難題，2030年全球AI芯片中介層所需襯底需求約620萬片，中國173萬片；若在現(xiàn)有技術(shù)路徑下，CoWoS工藝中，基板和熱沉材料也采用SiC，則AI芯片散熱領(lǐng)域襯底空間將增加2倍。

　　通信射頻領(lǐng)域

　　5G-A與6G推動(dòng)射頻器件升級(jí)，GaN-on-SiC方案憑借優(yōu)異散熱與高頻性能成為主流。2030年全球射頻用半絕緣型SiC襯底需求量達(dá)17萬片，中國占比60%，約10萬片。

　　2030年全球AR眼鏡領(lǐng)域襯底需求389萬片，中國137萬片。AR產(chǎn)業(yè)中，SiC高折射率特性使其成為光波導(dǎo)片理想基底，可擴(kuò)大視場(chǎng)角、解決彩虹紋問題，推動(dòng)AR眼鏡輕量化與全彩化。

　　需求端的全面爆發(fā)推動(dòng)行業(yè)規(guī)�？焖贁U(kuò)張，預(yù)計(jì)2027年碳化硅襯底供需緊平衡，甚至存在出現(xiàn)產(chǎn)能供應(yīng)緊張的可能性；2030年，全球1676萬片的襯底需求量，較2025年的供給，存在約1200萬片的產(chǎn)能缺口。其中，AI中介層、新能源汽車、AR眼鏡是三大核心增長(zhǎng)點(diǎn)，該行預(yù)計(jì)到2030年需求占比分別為37%、26%、23%；其中SiC在AI芯片先進(jìn)封裝散熱材料的運(yùn)用上，若能實(shí)現(xiàn)在“基板層”、“中介層”和“熱沉”三個(gè)環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)化，2030E，全球碳化硅襯底需求量有望達(dá)到約3000萬片。

　　風(fēng)險(xiǎn)提示：1、中美貿(mào)易摩擦加劇，供應(yīng)鏈進(jìn)一步受限的風(fēng)險(xiǎn)；2、下游需求不及預(yù)期；3、產(chǎn)品研發(fā)、技術(shù)迭代與市場(chǎng)推進(jìn)不及預(yù)期，如SiC作為先進(jìn)封裝的散熱材料，中介層、基板和熱沉三方面均處于研發(fā)階段，技術(shù)路線尚未完全確定，風(fēng)險(xiǎn)較高；4、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇。