作為國產(chǎn)薄膜沉積設備龍頭，拓荊科技(688072)受益于國內下游晶圓制造廠(chǎng)對國內半導體設備的需求增加，營(yíng)業(yè)收入維持高增長(cháng)趨勢。在5月27日2025年第一季度業(yè)績(jì)說(shuō)明會(huì )上，公司高管表示，目前公司在手訂單充足，今年整體經(jīng)營(yíng)性趨勢非常健康，并將拓展海外市場(chǎng)。

　　2024年，拓荊科技實(shí)現營(yíng)業(yè)收入約41.03億元，同比增長(cháng)51.7%；實(shí)現歸母凈利潤6.88億元，同比增長(cháng)3.86%；但今年一季度，公司歸母凈利潤同比轉虧1.47億元。

　　對于一季度盈利下降，公司高管介紹，主要系期間確認收入的產(chǎn)品中新產(chǎn)品、新工藝占比較高，達到近70%，且這些新產(chǎn)品、新工藝在客戶(hù)驗證過(guò)程成本較高，致毛利率同比下降。隨著(zhù)公司新產(chǎn)品、新工藝逐步進(jìn)入成熟階段，公司盈利能力會(huì )呈現改善態(tài)勢。

　　“公司在手訂單充足，目前看公司2025年整體經(jīng)營(yíng)性趨勢非常健康。”拓荊科技高管介紹，截至2024年年末，公司在手訂單金額約94億元，主要產(chǎn)品包括薄膜沉積設備，以及應用于三維集成領(lǐng)域的先進(jìn)鍵合設備。

　　從全球市場(chǎng)份額來(lái)看，薄膜沉積設備行業(yè)呈現壟斷競爭的局面，行業(yè)基本由海外國際巨頭壟斷。根據Gartner歷史統計數據，在CVD(化學(xué)氣相沉積)市場(chǎng)中，應用材料(AMAT)、泛林半導體(Lam)和東京電子(TEL)三大廠(chǎng)商占據了全球約70%的市場(chǎng)份額；在三維集成領(lǐng)域，先進(jìn)鍵合設備市場(chǎng)主要由EV Group公司、東京電子(TEL)、博思(BESI)、先進(jìn)科技(ASMPT)等公司高度壟斷，這些廠(chǎng)商占據全球絕大部分的市場(chǎng)份額。

　　據介紹，拓荊科技通過(guò)在薄膜沉積設備及三維集成領(lǐng)域的先進(jìn)鍵合設備及配套的量檢測設備的技術(shù)積累和快速發(fā)展，拓荊科技較國內競爭對手形成顯著(zhù)先發(fā)優(yōu)勢，已經(jīng)成為國內半導體設備行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。

　　其中，在應用于三維集成領(lǐng)域的先進(jìn)鍵合設備及配套量檢測設備方面，去年公司實(shí)現產(chǎn)品銷(xiāo)售收入9566.85萬(wàn)元，同比增長(cháng)48.78%，應用于晶圓對晶圓混合鍵合設備、芯片對晶圓鍵合前表面預處理設備獲得重復訂單并擴大產(chǎn)業(yè)化應用，新推出的鍵合套準精度量測設備及鍵合強度檢測設備通過(guò)客戶(hù)驗證。

　　去年拓荊科技研發(fā)投入就達到7.56億元；今年一季度，拓荊科技研發(fā)投入合計1.57億元，在營(yíng)業(yè)收入占比達到22.38%，占比在國內半導體設備上市公司中居前。

　　2024年，公司自主研發(fā)并推出了10余款新產(chǎn)品/新工藝設備，包括Flowable CVD(流動(dòng)性化學(xué)氣相沉積)、PECVD Bianca、PECVD Supra-D Stack(ONO疊層)、ACHM(非晶碳硬掩膜)、ALD SiCO、SiN(氮化硅)等薄膜沉積設備，以及應用于三維集成領(lǐng)域的晶圓對晶圓熔融鍵合設備、芯片對晶圓混合鍵合設備、鍵合套準精度量測設備和鍵合強度檢測設備，且大部分新產(chǎn)品/新工藝已在邏輯芯片、存儲芯片、三維集成等領(lǐng)域實(shí)現產(chǎn)業(yè)化應用。

　　公司高管介紹，后續拓荊科技面向國內芯片制造技術(shù)的迭代創(chuàng )新和下游客戶(hù)快速發(fā)展的需求，繼續在高端半導體設備領(lǐng)域深耕，不斷提升PECVD(等離子體增強化學(xué)氣相沉積)、ALD(原子層沉積)、SACVD(次常壓化學(xué)氣相沉積)、HDPCVD(高密度等離子體化學(xué)氣相沉積)、Flowable CVD等薄膜沉積設備應用覆蓋面及量產(chǎn)規模，并致力于為三維集成領(lǐng)域提供全面的技術(shù)解決方案。

　　2024年，拓荊科技收入來(lái)源于中國大陸地區。公司高管介紹，去年以來(lái)，公司在日本、新加坡等地布局設立子公司，為進(jìn)一步拓展海外市場(chǎng)奠定基礎；今年公司將繼續積極尋找海外市場(chǎng)機會(huì )，持續拓展海外市場(chǎng)。